Baie projekte van hardeware-ingenieurs word op die gatbord voltooi, maar daar is die verskynsel van die per ongeluk verbindende positiewe en negatiewe terminale van die kragtoevoer, wat daartoe lei dat baie elektroniese komponente brand, en selfs die hele bord word vernietig, en dit moet weer gesweis word, ek weet nie wat 'n goeie manier is om dit op te los nie?
Eerstens is nalatigheid onvermydelik, alhoewel dit slegs is om die positiewe en negatiewe twee drade, 'n rooi en 'n swart, te onderskei, mag een keer bedraad word, ons sal nie foute maak nie; Tien verbindings sal nie verkeerd gaan nie, maar 1 000? Wat van 10 000? Op die oomblik is dit moeilik om te sê, as gevolg van ons nalatigheid, wat lei tot die uitbranding van sommige elektroniese komponente en skyfies, die hoofrede is dat die stroom te veel ambassadeurkomponente is wat gebreek is, daarom moet ons maatreëls tref om die omgekeerde verbinding te voorkom.
Daar is die volgende metodes wat algemeen gebruik word:
01 diode-reeks tipe anti-omkeer beskermingskring
'n Voorwaartse diode word in serie by die positiewe kraginset gekoppel om ten volle gebruik te maak van die diode se eienskappe van voorwaartse geleiding en terugwaartse afsnyding. Onder normale omstandighede gelei die sekondêre buis en werk die stroombaanbord.
Wanneer die kragtoevoer omgekeer word, word die diode afgesny, die kragtoevoer kan nie 'n lus vorm nie, en die stroombaanbord werk nie, wat die probleem van die kragtoevoer effektief kan voorkom.
02 Gelykrigterbrugtipe anti-omkeerbeskermingskring
Gebruik die gelykrigterbrug om die kragtoevoer na 'n nie-polêre invoer te verander, of die kragtoevoer nou gekoppel of omgekeer is, die bord werk normaalweg.
As die silikondiode 'n drukval van ongeveer 0.6~0.8V het, het die germaniumdiode ook 'n drukval van ongeveer 0.2~0.4V. As die drukval te groot is, kan die MOS-buis vir anti-reaksiebehandeling gebruik word. Die drukval van die MOS-buis is baie klein, tot 'n paar milliohm, en die drukval is byna weglaatbaar.
03 MOS-buis anti-omkeer beskermingskring
As gevolg van prosesverbetering, eie eienskappe en ander faktore, is die geleidende interne weerstand van MOS-buise klein, en baie is op milliohm-vlak, of selfs kleiner, sodat die stroombaanspanningsval en kragverlies wat deur die stroombaan veroorsaak word, besonder klein of selfs weglaatbaar is. Daarom is die keuse van MOS-buise om die stroombaan te beskerm 'n meer aanbevole manier.
1) NMOS-beskerming
Soos hieronder getoon: Op die oomblik van aanskakeling word die parasitiese diode van die MOS-buis aangeskakel, en die stelsel vorm 'n lus. Die potensiaal van die bron S is ongeveer 0.6V, terwyl die potensiaal van die hek G Vbat is. Die openingspanning van die MOS-buis is uiters: Ugs = Vbat-Vs, die hek is hoog, die ds van NMOS is aan, die parasitiese diode is kortgesluit, en die stelsel vorm 'n lus deur die ds-toegang van NMOS.
As die kragtoevoer omgekeer word, is die aanspanning van die NMOS 0, die NMOS word afgesny, die parasitiese diode word omgekeer en die stroombaan word ontkoppel, wat sodoende beskerming vorm.
2) PMOS-beskerming
Soos hieronder getoon: Op die oomblik van aanskakeling word die parasitiese diode van die MOS-buis aangeskakel, en die stelsel vorm 'n lus. Die potensiaal van die bron S is ongeveer Vbat-0.6V, terwyl die potensiaal van die hek G 0 is. Die openingspanning van die MOS-buis is uiters: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), die hek tree op as 'n lae vlak, die ds van PMOS is aan, die parasitiese diode is kortgesluit, en die stelsel vorm 'n lus deur die ds-toegang van PMOS.
As die kragtoevoer omgekeer word, is die aanspanning van die NMOS groter as 0, die PMOS word afgesny, die parasitiese diode word omgekeer en die stroombaan word ontkoppel, wat sodoende beskerming vorm.
Let wel: NMOS-buise verbind ds na die negatiewe elektrode, PMOS-buise verbind ds na die positiewe elektrode, en die parasitiese diode se rigting is in die korrek gekoppelde stroomrigting.
Die toegang van die D- en S-pole van die MOS-buis: gewoonlik wanneer die MOS-buis met 'n N-kanaal gebruik word, kom die stroom gewoonlik vanaf die D-pool in en vloei uit vanaf die S-pool, en die PMOS kom in en D gaan uit die S-pool, en die teenoorgestelde is waar wanneer dit in hierdie stroombaan toegepas word, word die spanningstoestand van die MOS-buis bereik deur die geleiding van die parasitiese diode.
Die MOS-buis sal volledig aangeskakel wees solank 'n geskikte spanning tussen die G- en S-pole gevestig word. Na geleiding is dit soos 'n skakelaar wat tussen D en S gesluit is, en die stroom is dieselfde weerstand van D na S of S na D.
In praktiese toepassings word die G-pool gewoonlik met 'n weerstand verbind, en om te verhoed dat die MOS-buis breek, kan 'n spanningsreguleerderdiode ook bygevoeg word. 'n Kapasitor wat parallel aan 'n deler gekoppel is, het 'n sagte-aanvang-effek. Op die oomblik dat die stroom begin vloei, word die kapasitor gelaai en die spanning van die G-pool word geleidelik opgebou.
Vir PMOS, in vergelyking met NOMS, moet Vgs groter wees as die drempelspanning. Omdat die openingspanning 0 kan wees, is die drukverskil tussen DS nie groot nie, wat meer voordelig is as NMOS.
04 Sekeringbeskerming
Baie algemene elektroniese produkte kan gesien word nadat die kragtoevoergedeelte met 'n lont oopgemaak is, in die kragtoevoer wat omgekeer word, is daar 'n kortsluiting in die stroombaan as gevolg van die groot stroom, en dan blaas die lont, wat 'n rol speel in die beskerming van die stroombaan, maar op hierdie manier is herstel en vervanging meer moeilik.
Plasingstyd: 8 Julie 2023
