Baie projekte van hardeware-ingenieurs word op die gatbord voltooi, maar daar is die verskynsel dat die positiewe en negatiewe terminale van die kragtoevoer per ongeluk verbind word, wat daartoe lei dat baie elektroniese komponente brand, en selfs die hele bord word vernietig, en dit moet weer gesweis word, ek weet nie watter goeie manier om dit op te los nie?
Eerste van alles, sorgeloosheid is onvermydelik, hoewel dit net die positiewe en negatiewe twee drade te onderskei, 'n rooi en 'n swart, kan een keer bedraad word, sal ons nie foute maak nie; Tien verbindings sal nie verkeerd loop nie, maar 1 000? Wat van 10 000? Op hierdie tydstip is dit moeilik om te sê, as gevolg van ons sorgeloosheid, wat lei tot 'n paar elektroniese komponente en skyfies uitgebrand, die hoofrede is dat die stroom is te veel ambassadeur komponente is afgebreek, so ons moet maatreëls tref om die omgekeerde verbinding te voorkom .
Daar is die volgende metodes wat algemeen gebruik word:
01 diode reeks tipe anti-omgekeerde beskerming stroombaan
'n Voorwaartse diode word in serie gekoppel by die positiewe kraginvoer om die diode se kenmerke van voorwaartse geleiding en terugwaartse afsny ten volle te benut. Onder normale omstandighede gelei die sekondêre buis en die stroombaan werk.
Wanneer die kragtoevoer omgekeer word, word die diode afgesny, die kragtoevoer kan nie 'n lus vorm nie en die stroombaanbord werk nie, wat die probleem van die kragtoevoer effektief kan voorkom.
02 Ligrigterbrugtipe anti-omgekeerde beskermingskring
Gebruik die gelykrigterbrug om die kragtoevoer in 'n nie-polêre inset te verander, of die kragtoevoer gekoppel of omgekeerd is, die bord werk normaal.
As die silikondiode 'n drukval van ongeveer 0.6~0.8V het, het die germaniumdiode ook 'n drukval van ongeveer 0.2~0.4V, as die drukval te groot is, kan die MOS-buis vir anti-reaksiebehandeling gebruik word, die drukval van die MOS-buis is baie klein, tot 'n paar milliohm, en die drukval is amper weglaatbaar.
03 MOS buis anti-omgekeerde beskerming kring
MOS-buis as gevolg van prosesverbetering, sy eie eienskappe en ander faktore, sy geleidende interne weerstand is klein, baie is milliohm vlak, of selfs kleiner, sodat die stroombaan spanningsval, kragverlies veroorsaak deur die stroombaan is besonder klein, of selfs weglaatbaar , So kies MOS buis om die stroombaan te beskerm is 'n meer aanbevole manier.
1) NMOS-beskerming
Soos hieronder getoon: Op die oomblik van aanskakeling word die parasitiese diode van die MOS-buis aangeskakel, en die stelsel vorm 'n lus. Die potensiaal van die bron S is ongeveer 0.6V, terwyl die potensiaal van die hek G Vbat is. Die openingspanning van die MOS-buis is uiters: Ugs = Vbat-Vs, die hek is hoog, die ds van NMOS is aan, die parasitiese diode is kortgesluit, en die stelsel vorm 'n lus deur die ds-toegang van NMOS.
As die kragtoevoer omgekeer word, is die aan-spanning van die NMOS 0, die NMOS word afgesny, die parasitiese diode word omgekeer, en die stroombaan word ontkoppel, wat sodoende beskerming vorm.
2) PMOS-beskerming
Soos hieronder getoon: Op die oomblik van aanskakeling word die parasitiese diode van die MOS-buis aangeskakel, en die stelsel vorm 'n lus. Die potensiaal van die bron S is ongeveer Vbat-0.6V, terwyl die potensiaal van die hek G 0 is. Die openingspanning van die MOS-buis is uiters: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), die hek tree op as 'n lae vlak , die ds van PMOS is aan, die parasitiese diode is kortgesluit, en die stelsel vorm 'n lus deur die ds-toegang van PMOS.
As die kragtoevoer omgekeer word, is die aan-spanning van die NMOS groter as 0, die PMOS word afgesny, die parasitiese diode word omgekeer, en die stroombaan word ontkoppel, wat sodoende beskerming vorm.
Let wel: NMOS buise string ds na die negatiewe elektrode, PMOS buise string ds na die positiewe elektrode, en die parasitiese diode rigting is na die korrek gekoppelde stroomrigting.
Die toegang van die D- en S-pole van die MOS-buis: gewoonlik wanneer die MOS-buis met N-kanaal gebruik word, kom die stroom gewoonlik vanaf die D-pool in en vloei uit die S-pool, en die PMOS gaan in en D verlaat die S pool, en die teenoorgestelde is waar wanneer dit in hierdie stroombaan toegepas word, word die spanningstoestand van die MOS-buis bereik deur die geleiding van die parasitiese diode.
Die MOS-buis sal ten volle aangeskakel wees solank 'n geskikte spanning tussen die G- en S-pole vasgestel word. Na geleiding is dit asof 'n skakelaar tussen D en S gesluit word, en die stroom is dieselfde weerstand van D na S of S na D.
In praktiese toepassings word die G-paal oor die algemeen met 'n weerstand verbind, en om te verhoed dat die MOS-buis afgebreek word, kan 'n spanningreguleerderdiode ook bygevoeg word. 'n Kapasitor wat parallel aan 'n verdeler gekoppel is, het 'n sagtestart-effek. Op die oomblik wat die stroom begin vloei, word die kapasitor gelaai en die spanning van die G-pool word geleidelik opgebou.
Vir PMOS, in vergelyking met NOMS, word vereis dat Vgs groter is as die drempelspanning. Omdat die openingspanning 0 kan wees, is die drukverskil tussen DS nie groot nie, wat voordeliger is as NMOS.
04 Sekeringbeskerming
Baie algemene elektroniese produkte kan gesien word nadat die kragtoevoerdeel oopgemaak is met 'n lont, in die kragtoevoer is omgekeerd, daar is 'n kortsluiting in die stroombaan as gevolg van groot stroom, en dan is die lont geblaas, speel 'n rol in die beskerming van die stroombaan, maar op hierdie manier is herstel en vervanging meer lastig.
Postyd: Jul-10-2023
